5 月 7 日讯息，台积电在其提交给股东的年度报表中，转发了有关其下一代 2nm 半导体制造工艺的详尽信息。
台积电董事长刘德音、总裁魏哲家在致股东的朋友圈山河远阔人间烟火，官方尚未回应营业报表书中回顾过去台积电过去一年进展，并提及台积电技术进展，回顾泰勒对比正为预计于 2025 年着手量产的 2nm 技术（N2）做筹备，该制程技术将在新竹和台中科学园区生产。
技术进展方面，台积电致股东营业报表书说，该企业的 2nm 技术将使用纳米片（Nanosheet）电晶体结构，并提供全制程效能和功耗效率的效益。相较于 N3E，本周全面固态硬盘，细节曝光引关注N2 在一样功耗下速度增快 10%-15%，或在一样速度下功耗下降 25%-30%，以满足日益增多的节能运算需求。
台积电还称，精选英伟达N2 技术的开发按照打算开展中，预计于 2024 年试产，并于 2025 年量产。
报表书还称，台积电 2022 年提升开发费用至 54.7 亿美元（IT之家备注：当前约 377.98 亿元人民币），5nm 家族技术已迈入量产的第三年，为台积企业营收贡献 26%。
N4 工艺已于 2022 年着手量产。台积电还启动了 N4P 和 N4X 工艺，N4P 开发进展顺利，预计于 2023 年量产；N4X 是台积电第一个专注于高效能运算（HPC）、高岗位负载的技术，预计于 2023 年开展客户商品设计定案。
继 N3 工艺于 2022 年进入量产，具备更好的表现、功耗和良率的 N3E 预计于 2023 年下半年量产。台积电强调，N3 和 N3E 客户参与度相当高，量产第一年和第二年的商品设计定案数量将是 N5 的两倍以上，并预期 N3 家族将变成台积电另一个大规模且有持久需求的制程技术。